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三星闪存大容量存储重大突破 性能提高50%-资讯男装毛衫

2022-11-01 13:09:45  塑编机械网

三星闪存大容量存储重大突破 性能提高50%-资讯 三星电子公司于近日宣布他们在闪存大容量存储方面取得了重大突破,他们已葡萄干经在70纳米的芯片上放置了4GB的闪存。 这种70nm(纳米)的芯片将会将取代只有2GB 闪存的90nm的芯片,并且性能会提高百分之五十,读写速度达到16MBps。   性能的提高最终可以给用户提供高清晰度的视频图像。 公司现在正在大规模生产这种闪存,估计在年底之前,会由六月份的每月生产4,000 个上升到每月生动物石雕产15,000个。   虽然有很多业界专家认为闪存迟早会替代便携式计算机中的旋转式磁盘,但是市场研究公司Insight 64的高级分析员Nathan Brookwood却称那种可能性是一种"幻想"。 Brookwood说,"第一次存储介质有了突破,磁盘厂商就会降低他们每字节的费用,这就是为什么他们一直能在商场中立足的原因"。   但是,真正的竞争是发生在MP3 播放器市场,譬如苹果计算机公司的iPod。当前iPod 和iPod袖珍型使用的是旋转式磁盘,它对使用闪存还持犹豫态度。  电缆带 根据Brookwood的说法,如果三星公司降低闪存的价格,那么就会给MP3 市场带来很大的波动。   虽然Intel公司也生产闪存,但它是NOR闪存的市场主导者,这种闪存一般被应用在手机中,因为它既可以存储手机的驱动程序又可以存储数据。三星公司则是NAND闪存的市场护身符主导者,这板压机种闪存一般被应用在数字照相机和MP3 播放器中,它只能用来存储数据。
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(编辑 甘心)

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